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虽然 MOS 是电压驱动的，但栅极和源极之间存在较大的结电容。当它打开时，需要大的充电电流，当它关闭时，需要大的放电电流。因此，需要一个低阻抗的充电和放电路径。

这是一个低侧 MOS 管驱动电路。输入端由 Q3 和外围组成，使用公共基极连接形成一个电平

转换电路。控制输入从 （5） 接收，控制输入可由 MCU 生成。输入 3V 转换为输出 12V。由于 Q1 Q2 是互补发射极跟随器，因此不存在 Q1 Q2 同时导通以短路电源的问题。为了防止事故发生，在输出端串联电阻器是一种安全的做法。

MOS 从关到亮所需的时间比从开到关的时间长，减小 R1 可以缩短从关到亮的时间。但它不是无限的，因为驱动源的电流拉力是有限的。

当控制电压由低变为高时，栅极电压开始时有 3V 阶跃。分析表明，这是由于 Q3 关断后通过 BC 结馈入的 3.3 偏置电压引起的。

在开关状态下，MOS管需要尽快闭合和打开，这个电路可以有效地控制它。

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